关键技术对非对称型GCT的影响

摘　要： 在建立GCT器件模型的基础上, 利用silvaco软件，研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明, 决定GCT的通态压降的关键因素是缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。

关键词：silvaco；缓冲层;透明阳极;通态压降；
前言
　　GCT是基于传统门极可关断晶闸管(GTO)的基础上发展起来的新型功率半导体器件。它不仅具有GTO的高阻断能力和低通态损耗,而且具有绝缘门双极晶体管(IGBT)的高频特性 . 电子器件，2006（4）：989～991 本文链接：http://www.qk112.com/lwfw/jsjlw/jisuanjiyingyong/241587.html